- 李更森;
<正> 一、引言快速付里叶变换即离散快速付里叶变换。它是建立在时间及频率离散概念之上的。对离散时间信号有一套精确公式,这些数学公式严格地表达了物理概念,表明了频域及时域间的相互关系。不能把离散信号处理当作是对连续信号处理的一种近似,离散信号处理是一个具有新内容的新概念,在这个概念之上,数字信号处理迅速发展起来了。快速付里叶变换在数字信号处理中起到了重要的作用。
1982年10期 3-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 278K] [下载次数：27 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 李更森;
<正> 一、引言快速付里叶变换即离散快速付里叶变换。它是建立在时间及频率离散概念之上的。对离散时间信号有一套精确公式,这些数学公式严格地表达了物理概念,表明了频域及时域间的相互关系。不能把离散信号处理当作是对连续信号处理的一种近似,离散信号处理是一个具有新内容的新概念,在这个概念之上,数字信号处理迅速发展起来了。快速付里叶变换在数字信号处理中起到了重要的作用。
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<正> 一、引言本文介绍了使用FFT计算卷积的一个FORTRAN子程序。在1001电子计算机上对卷积进行了计算,对交叠存贮分段法及交叠相加分段法分别进行,均获得了较好的结果。由于采用高效FFT的计算方法,计算速度有了明显提高。
1982年10期 18-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 184K] [下载次数：48 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 李更森;
<正> 一、引言本文介绍了使用FFT计算卷积的一个FORTRAN子程序。在1001电子计算机上对卷积进行了计算,对交叠存贮分段法及交叠相加分段法分别进行,均获得了较好的结果。由于采用高效FFT的计算方法,计算速度有了明显提高。
1982年10期 18-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 184K] [下载次数：48 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 姜淑霞;
<正> 一、前言在模拟信号的分析和处理中广泛的使用富里叶变换,它是把时间域的信号变换成频率域的频谱,或者反过来进行变换,把频率域的频谱变换成时间域的信号。因此,富里叶变换是信号分析和处理的重要工具,随着数字通信系统的发展,则需要把随时间变化的连续信号进行抽样,使之成为离散的数字化信号,使连续的富里叶变换发展成为离散的富里叶变换(DFT)。离散的富里叶变换是分析和处理离散的数字信号的一种方法,尤其是快速富里叶
1982年10期 29-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 479K] [下载次数：15 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 姜淑霞;
<正> 一、前言在模拟信号的分析和处理中广泛的使用富里叶变换,它是把时间域的信号变换成频率域的频谱,或者反过来进行变换,把频率域的频谱变换成时间域的信号。因此,富里叶变换是信号分析和处理的重要工具,随着数字通信系统的发展,则需要把随时间变化的连续信号进行抽样,使之成为离散的数字化信号,使连续的富里叶变换发展成为离散的富里叶变换(DFT)。离散的富里叶变换是分析和处理离散的数字信号的一种方法,尤其是快速富里叶
1982年10期 29-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 479K] [下载次数：15 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 赵东明;
<正> 一、引言目前,用脉宽调制的方法提高功放效率己成为广播发射机的发展趋向之一。美国在六十年代末期研制成功利用脉宽调制的大功率广播发射机,西德在七十年代后半期成功制造出从长波到短波波段、100千瓦到600千瓦的发射机系列,具有功效高、成本低、工作稳定等可贵的优点。本文的目的旨在讨论脉宽调制运用于晶体管电路,得到某些结论也同样适用于电子管电路。
1982年10期 51-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 332K] [下载次数：26 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 赵东明;
<正> 一、引言目前,用脉宽调制的方法提高功放效率己成为广播发射机的发展趋向之一。美国在六十年代末期研制成功利用脉宽调制的大功率广播发射机,西德在七十年代后半期成功制造出从长波到短波波段、100千瓦到600千瓦的发射机系列,具有功效高、成本低、工作稳定等可贵的优点。本文的目的旨在讨论脉宽调制运用于晶体管电路,得到某些结论也同样适用于电子管电路。
1982年10期 51-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 332K] [下载次数：26 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ]
- 何永吉;
<正> 日本电气公司最近使用一种引人注目的超高速、超高频半导体元件材料—InP化合物半导体,试制成功了超高频MISFET(金属—绝缘物—半导体,场效应晶体管)。同时确定了它可以在X波段以上的高频区域进行工作,从而作为高效率、高输出元件是大有希望的。近年来,GaAs以柱型硅的形式正极力研究发展超高速集成电路,而InP与GaAs相比,其优点是具有电子饱和速度快、热传导率大、离子化系数小等优良物性,而且容易制成在耐
1982年10期 63页 [查看摘要][在线阅读][下载 42K] [下载次数：18 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 何永吉;
<正> 日本电气公司最近使用一种引人注目的超高速、超高频半导体元件材料—InP化合物半导体,试制成功了超高频MISFET(金属—绝缘物—半导体,场效应晶体管)。同时确定了它可以在X波段以上的高频区域进行工作,从而作为高效率、高输出元件是大有希望的。近年来,GaAs以柱型硅的形式正极力研究发展超高速集成电路,而InP与GaAs相比,其优点是具有电子饱和速度快、热传导率大、离子化系数小等优良物性,而且容易制成在耐
1982年10期 63页 [查看摘要][在线阅读][下载 42K] [下载次数：18 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 王爱民;
<正> 国际电报公司(KDD)从1982年6月起,开始了利用INTE LSATV号卫星的准毫米波段(14/11GHz)的位置分集实验,实验预期两年。实验通过配置在印度洋地区的V号卫星的14/11GHz频段中继器,在拥有直径约8 m天线的实验站之间进行。实验站分别设置在KDD的山口卫星通信所以及距该通信所约100km左右的浜田国际中继所内。
1982年10期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 29K] [下载次数：11 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 王爱民;
<正> 国际电报公司(KDD)从1982年6月起,开始了利用INTE LSATV号卫星的准毫米波段(14/11GHz)的位置分集实验,实验预期两年。实验通过配置在印度洋地区的V号卫星的14/11GHz频段中继器,在拥有直径约8 m天线的实验站之间进行。实验站分别设置在KDD的山口卫星通信所以及距该通信所约100km左右的浜田国际中继所内。
1982年10期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 29K] [下载次数：11 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ]